Dopo la presentazione ufficiale avvenuta la scorsa settimana a New York, oggi arrivano dalla Cina alcuni rumors (e un’interessante tabella) riguardanti le specifiche del nuovo SoC high-end di Qualcomm, lo Snapdragon 835.

Lo Snapdragon 835 sarà realizzato utilizzando il processo FinFET a 10nm, una particolare soluzione in grado di ridurre i consumi di oltre il 40% rispetto allo Snapdragon 820, e di fornire un miglioramento prestazionale del 25% rispetto al più recente Snapdragon 821.

Secondo le ultime indiscrezioni, inoltre, oltre a dover far uso di un’architettura Kryo 200 con GPU Adreno 540, la baseband, invece, dovrebbe supportare l’LTE Cat.16, con velocità in download fino a 1 Gbps e fino a 150 Mbps in upload, grazie al modem X16 LTE realizzato da Qualcom; l’835 dovrebbe essere caratterizzato dal supporto alle memorie RAM LPDDR4X-1866 e memoria flash UFS2.1. Il Qualcomm Snapdragon 835 dovrebbe vedere la luce nel primo trimestre del 2017, molto probabilmente a bordo del Samsung Galaxy S8.

Secondo fonti autorevoli, Qualcomm dovrebbe essere al lavoro anche su un nuovo processore appartenente alle serie 600, lo Snapdragon 660, caratterizzato da un processore FinFET LPP di Samsung a 14nm, quad core a 2.2GHz e quad core a 1.9 GHz, GPU Adreno 512, modem LTE X10, supporto alle memorie RAM LPDDR4X-1866 e memorie flash UFS 2.1.