Chi non vorrebbe più velocità con meno potenza? Samsung Electronics ha annunciato una nuova RAM da 512GB DDR5 questo Giovedì – quest’ultima, stando alle dichiarazioni di Samsung, consumerà il 13% in meno di elettricità pur avendo all’attivo il doppio delle prestazioni rispetto le RAM presenti sul mercato (anche quelle di fascia più alta).
L’azienda Sud Coreana ha dichiarato che il suo primo prodotto di settore si basa su una nuova tecnologia (potrebbe essere chiamata High-K Metal Gate, o HKMG) e sarà supportata molto presto da Intel per uno dei suoi prodotti in uscita, ovvero i processori “Xeon Scalable”.
“Portando questo tipo di innovazione di processo nella produzione di DRAM, siamo in grado di offrire ai nostri clienti soluzioni di utilizzo della memoria ad alte prestazioni ma che siano anche ad alta efficienza energetica per alimentare i computer utilizzati per la ricerca medica, i mercati finanziari, la guida autonoma, le città intelligenti […]”
Queste le parole di Young-Soo Sohn, vice presidente della società che produce la DRAM.
Di conseguenza l’utilizzo di questa nuova RAM da 512 GB DDR5 è pensata appositamente per macchine ad elevata potenza di calcolo, Intelligenze Artificiali (AI) e macchine per la ricerca medica o scientifica. Samsung ha sviluppato i chip HKMG già nel 2018: la particolarità di questi è che utilizzano afnio invece di silicio, materiale tradizionalmente utilizzato in semiconduttori in impianti logistici. Ma appunto inserendolo in moduli DRAM, risparmierà il consumo energetico totale.
La capacità di 512 GB è ottenuta impilando otto strati di chip da 16 GB, secondo le dichiarazioni dell’azienda.
La nuova RAM da 512 GB DDR5 dovrebbe uscire entro la fine dell’anno – così come i processori scalabili Xeon di Intel, conosciuti col nome in codice “Sapphire Rapids.”
“Poiché la quantità di dati da spostare, archiviare ed elaborare aumenta in modo esponenziale, la transizione a DDR5 avviene in un momento critico per i datacenter, le reti e le distribuzioni di rete del cloud,” suggerisce il Vice Presidente dell’Intel Carolyn Duran durante un’intervista. A causa delle scorte e dell’alta domanda, la nuova RAM verrà lanciata con un prezzo superiore del 30 o del 40% rispetto il suo prezzo da listino, per questioni di stabilità delle scorte.
Leggi anche: