Samsung, annunciata la prima memoria flash V-NAND da 256 GB

Samsung è al lavoro sulla prima memoria flash V-NAND da 256 GB basato sullo standard UFS 2.0.

Nonostante la comodità delle microSD, le prestazioni migliori si ottengono con le memorie flash. Da questo presupposto, Samsung ha avviato la produzione del primo chip di memoria flash V-NAND da 256 GB. Si spera che tale quantitativo di memoria possa essere adottato al più presto, già a partire dal prossimo iPhone 7.

Ma per cosa si differenzia la tecnologia V-NAND rispetto alle attuali soluzioni NAND? In sostanza, sono previste delle cellule impilate una sull’altra, in modo da ottenere una struttura verticale tridimensionale che permette di ridurre lo spazio occupato. Inoltre, offrono prestazioni drasticamente più elevate (praticamente quasi il doppio) e consumi contenuti (fino al 45% in meno). Numeri alla mano, grazie allo standard UFS 2.0, si raggiungono velocità in lettura e scrittura rispettivamente pari a 850MB/s e 260MB/s, quindi sostanzialmente circa 3 volte più veloci rispetto alle attuali soluzioni top sul mercato.

Non sappiamo quando questo memorie saranno disponibili, anche se il produttore è già al lavoro per assecondare diverse richieste pervenute (iPhone 7, come detto, potrebbe essere una di queste).

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