Samsung Galaxy S7 e S7 Edge beneficeranno della vecchia tecnologia di ricarica rapida Quick Charge 2.0 in luogo della più recente iterazione inaugurata da Qualcomm in occasione del debutto dei suoi ultimi processori. Come lo Snapdragon 820, elemento principe della variante cinese ed americana dei nuovi smartphone Samsung top di gamma, evidentemente impoveriti (sulla scorta della strategia attuata lo scorso anno da OnePlus 2) di una delle funzionalità tipiche che, per converso, caratterizzerà invece il rivale LG G5 e la schiera di dispositivi Android pronti ad implementare il detto chipset (Xiaomi Mi 5, ad esempio, ma anche HTC 10).
Una scelta che può esser addebitata al processore proprietario di Samsung, Exynos 8890, che sembrerebbe non supportare il più recente standard di ricarica rapida Quick Charge 3.0. Il produttore di Seoul ha quindi deciso di uniformare i suoi ultimi flagship, evitando conseguentemente inutili discriminazioni volte a favorire una variante piuttosto che l’altra. Ed a riprova di ciò la versione di Samsung Galaxy S7 e S7 Edge con processore Snapdragon 820 non accoglierà al suo interno una delle funzionalità tipiche del più recente chipset a firma Qualcomm, sulla scorta del lavoro occorso sui dispositivi Samsung equipaggiati invece dall’Exynos 8890.
Il comune denominatore di entrambi, malgrado la diversità di processore, si chiamerà Quick Charge 2.0, il vecchio standard di ricarica rapida presente su svariati smartphone Android commercializzati lo scorso anno. Le differenze con la nuova tecnologia Quick Charge 3.0 sono evidenti anche se non trascendentali: secondo stime ufficiali divulgate da Qualcomm, la batteria dovrebbe infatti ricaricarsi dallo 0 all’80% in 35 minuti, mettendo in rilievo un incremento di velocità del 27% rispetto alla tecnologia di generazione precedente. Samsung Galaxy S7 e S7 Edge saranno comunque dotati di ricarica rapida, anche se meno performante se rapportata al più recente standard inaugurato da Qualcomm. Ed alla fine non dovrebbe esser un grosso problema.
