Samsung aveva previsto di avviare la produzione di massa dei chip a 3 nm (3GAE) nella prima metà del 2022, con il nodo di seconda generazione che seguirà nel 2023.
Durante la sua ultima call con gli investitori, la società ha affermato che è sulla buona strada per iniziare la produzione in serie nelle prossime settimane.
Per la prima generazione dei chip a 3 nanometri (3GAE) si utilizzeranno i transistor Multi Bridge Channel FET o MBCFET per passare poi, con la seconda generazione in programma per l’anno prossimo, ai Gate-All-Around Field-Effect Transistors o GAAFET sempre a 3 nm.
L’azienda propone una serie di vantaggi rispetto al FinFET a 7 nm, poiché MBCFET può funzionare a tensioni inferiori a 0,75 V. Ciò consente una riduzione fino al 50% del consumo energetico, prestazioni migliori del 30% e una riduzione dell’area fino al 45%.
In altre parole, la densità logica potrebbe essere la stessa di Intel 4 e 5N di TSMC, ma potrebbe funzionare meglio grazie a canali più ampi e una corrente di dispersione inferiore. La più grande incognita è la resa, che è stato un grosso problema con il nodo di processo a 4 nm di Samsung, che ha spinto aziende come Qualcomm a rivolgersi a TSMC per i chip futuri.
Samsung, afferma che la compatibilità di MBCFET con i processi di produzione e le apparecchiature FinFET non solo ha accelerato lo sviluppo, ma ha anche permesso di contenere i costi.
Nel frattempo, Samsung ha venduto tutti i chip possibili durante il primo trimestre di quest’anno e prevede che la domanda per i suoi prodotti DRAM e NAND rimarrà forte nei prossimi mesi. La società ha registrato 14,1 trilioni di won (11,2 miliardi di dollari) di utile operativo per i tre mesi terminati a marzo, più della metà (6,7 miliardi di dollari) proveniva dalla divisione chip.
