Lo Snapdragon 845 è dietro l’angolo. Il potente processore di Qualcomm potrebbe infatti essere ufficializzato durante i primi giorni di dicembre. Lo anticipa una indiscrezione riportata sul <<solito>> (ma non sempre affidabilissimo e preciso, invero) social network cinese Weibo, che mostra per l’appunto un invito di Qualcomm dedicato ai processori Snapdragon in scena a Maoyi Island (Hawaii) tra il 4 e 8 dicembre. Si presume pertanto che il nuovo processore di punta, lo Snapdragon 845, potrebbe trovare il suo pieno e definitivo inverarsi.
Secondo le ricostruzioni più affidabili, il successore dell’apprezzato Snapdragon 835 metterà in mostra svariati miglioramenti. Si pensi, ad esempio, all’architettura Kryo, ma anche all’architettura grafica Adreno, la baseband LTE, l’unità di elaborazione delle immagini ISP (profondità di campo avanzata) ed altre caratteristiche strutturali del SoC. Che a detta dei rumors continuerà ad utilizzare un processo produttivo Samsung LN a 10 nanometri, un’ampia architettura nucleare basata su Cortex-A75, GPRS Adreno 630 e una banda base X20 integrata a 1.2Gbps. Altre informazioni mettono in preventivo un miglioramento tangibile nelle performance, che potrebbero aggirarsi attorno al 25% in più rispetto alle già valide potenzialità dello Snapdragon 835.
Naturalmente non ci aspettiamo grosse novità sul lato smartphone. Ammesso e non concesso che lo Snapdragon 845 possa guadagnare l’ufficialità durante i primi giorni del mese di dicembre, dovremo tuttavia attender qualche settimana ulteriore prima di vedere sul mercato dispositivi con a bordo l’ultimo chipset di Qualcomm. Come ormai prassi consolidata negli anni, la versione aggiornata del SoC americano sarà rilasciata durante il corso del primo trimestre dell’anno successivo, indi per cui i primi smartphone con lo Snapdragon 845 dovrebbero esser ufficializzati tra gennaio e febbraio. E’ altamente probabile, a tale stregua, che a far da apripista possa esser Samsung Galaxy S9, seguito a ruota dallo Xiaomi Mi 7 e dal primo borderless di Sony.
